2010年5月に購入した時は、メモリー容量が2GBytes（1GBytes×2枚）。半年後の2011年1月に4GBytes（2GBytes×2枚）に交換して容量アップしていたが、仮想マシンを幾つか動かすとメモリー不足に陥るため、8GBytesのメモリーを購入して増設を企んだところ… 相性問題で失敗
購入時の記録はこちら → HP s5350 その１ : 本体写真とBIOS画面
検証環境
・本体 ： HP Pavilion Desktop PC s5350jp/CT
・マザーボード ： MSI製 MS-7613 (Iona-GL8E)
試したメモリー
| 容量 | 型番 | 動作可・不可 | |
|---|---|---|---|
| 当初附属分 | 1 GBytes×2枚 | Micron 8JTF12864AZ-1G4F1 | 正常動作 |
| 2011年1月購入（3,480円） | 2 GBytes×2枚 | Nanya M2Y2G64CB8HC5N-CG | 正常動作 |
| 2015年7月購入（5,960円） | 4 GBytes×2枚 | Kingston KVR16N11S8/4 | エラー |
マザーボードがサポートしているメモリー規格は
HPサポートページのHP and Compaq Desktop PCs - Motherboard Specifications, MS-7613 (Iona-GL8E)によれば、
Memory upgrade information:
Supports DDR3 DIMMs only
Dual channel memory architecture
Four DDR3 DIMM (240-pin) sockets
DIMM types:
PC3-10600 (DDR3-1333)
PC3-8500 (DDR3-1066)
Non-ECC memory only, unbuffered
Supports up to 16 GB on 64-bit PCs
Maximum memory only if using 4GB DDR3 DIMM modules.
試したメモリーの規格はそれぞれ
| 容量 | 型番 | 規格 |
|---|---|---|
| 1 GBytes×2枚 | Micron 8JTF12864AZ-1G4F1 | 1.5V DDR3-1333 (PC3-10600) |
| 2 GBytes×2枚 | Nanya M2Y2G64CB8HC5N-CG | 1.5V DDR3-1333 (PC3-10600) CL9 |
| 4 GBytes×2枚 | Kingston KVR16N11S8/4 | 1.5V DDR3-1600 (PC3-12800) CL11 |
PC3-12800は、下位規格のPC3-10600の速度で十分動作可能なはずだが…
結果
上：PC3-12800 下：PC3-10600
s5350のメモリースロット（4枚）に、PC3-10600メモリーを2枚差し込んだ状態
他のメモリーを全て外して、PC3-12800のメモリー1枚をスロットに差し込んで起動する → BIOS の診断画面は無事通過 → [F9] ボタンを押してファームウエア内のPC Doctorを起動してメモリーテストをすると固まる。 また、Ubuntu のgrubブートローダが起動した後にmemtest86+を起動してテスト開始したら数秒で画面が崩れて停止する。
PC3-12800のメモリー2枚をスロットに差し込んで起動する → BIOSの診断画面で固まる。
スロットを変えて色々試してもダメ。
HPから配布されている最新BIOSにアップグレードしても、状況は変わらず。
BIOS version 5.13 (2010年3月3日版）
BIOS version 5.15 (2010年6月25日版）
1枚刺し（シングルチャンネル）で、Grubブートローダを起動でき、さらにmemtest86+が数秒間動くということは、とりあえずメモリーは認識されてかろうじてアクセスはできているということだ。おそらく、微妙なタイミングがずれていて、使えないという「いわゆる相性問題」なのだろう。
利用できているメモリーの状態表示
Linux上で、次のコマンドで出力した
$ sudo modprobe eeprom $ sudo modprobe i2c-i801 $ decode-dimms Decoding EEPROM: /sys/bus/i2c/drivers/eeprom/7-0050 Guessing DIMM is in bank 1 ---=== SPD EEPROM Information ===--- EEPROM CRC of bytes 0-116 OK (0xA106) # of bytes written to SDRAM EEPROM 176 Total number of bytes in EEPROM 256 Fundamental Memory type DDR3 SDRAM Module Type UDIMM ---=== Memory Characteristics ===--- Fine time base 2.500 ps Medium time base 0.125 ns Maximum module speed 1333MHz (PC3-10666) Size 2048 MB Banks x Rows x Columns x Bits 8 x 14 x 10 x 64 Ranks 2 SDRAM Device Width 8 bits tCL-tRCD-tRP-tRAS 8-8-8-24 Supported CAS Latencies (tCL) 9T, 8T, 7T, 6T ---=== Timing Parameters ===--- Minimum Write Recovery time (tWR) 15.000 ns Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRD) 6.000 ns Minimum Active to Auto-Refresh Delay (tRC) 49.125 ns Minimum Recovery Delay (tRFC) 110.000 ns Minimum Write to Read CMD Delay (tWTR) 7.500 ns Minimum Read to Pre-charge CMD Delay (tRTP) 7.500 ns Minimum Four Activate Window Delay (tFAW) 30.000 ns ---=== Optional Features ===--- Operable voltages 1.5V RZQ/6 supported? No RZQ/7 supported? Yes DLL-Off Mode supported? Yes Operating temperature range 0-95C Refresh Rate in extended temp range 1X Auto Self-Refresh? Yes On-Die Thermal Sensor readout? No Partial Array Self-Refresh? No Thermal Sensor Accuracy Not implemented SDRAM Device Type Standard Monolithic ---=== Physical Characteristics ===--- Module Height (mm) 30 Module Thickness (mm) 2 front, 2 back Module Width (mm) 133.5 Module Reference Card B ---=== Manufacturer Data ===--- Module Manufacturer Nanya Technology DRAM Manufacturer Nanya Technology Manufacturing Location Code 0x1A Manufacturing Date 2010-W52 Assembly Serial Number 0xD2F1286C Part Number M2Y2G64CB8HC5N-CG Decoding EEPROM: /sys/bus/i2c/drivers/eeprom/7-0051 Guessing DIMM is in bank 2 ---=== SPD EEPROM Information ===--- EEPROM CRC of bytes 0-116 OK (0x6114) # of bytes written to SDRAM EEPROM 176 Total number of bytes in EEPROM 256 Fundamental Memory type DDR3 SDRAM Module Type UDIMM ---=== Memory Characteristics ===--- Fine time base 2.500 ps Medium time base 0.125 ns Maximum module speed 1333MHz (PC3-10666) Size 1024 MB Banks x Rows x Columns x Bits 8 x 14 x 10 x 64 Ranks 1 SDRAM Device Width 8 bits tCL-tRCD-tRP-tRAS 8-8-8-24 Supported CAS Latencies (tCL) 10T, 9T, 8T, 7T, 6T, 5T ---=== Timing Parameters ===--- Minimum Write Recovery time (tWR) 15.000 ns Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRD) 6.000 ns Minimum Active to Auto-Refresh Delay (tRC) 49.125 ns Minimum Recovery Delay (tRFC) 110.000 ns Minimum Write to Read CMD Delay (tWTR) 7.500 ns Minimum Read to Pre-charge CMD Delay (tRTP) 7.500 ns Minimum Four Activate Window Delay (tFAW) 30.000 ns ---=== Optional Features ===--- Operable voltages 1.5V RZQ/6 supported? No RZQ/7 supported? Yes DLL-Off Mode supported? Yes Operating temperature range 0-95C Refresh Rate in extended temp range 1X Auto Self-Refresh? Yes On-Die Thermal Sensor readout? No Partial Array Self-Refresh? No Thermal Sensor Accuracy Not implemented SDRAM Device Type Standard Monolithic ---=== Physical Characteristics ===--- Module Height (mm) 30 Module Thickness (mm) 2 front, 1 back Module Width (mm) 133.5 Module Reference Card A ---=== Manufacturer Data ===--- Module Manufacturer Micron Technology DRAM Manufacturer Micron Technology Manufacturing Location Code 0x0F Manufacturing Date 2010-W16 Assembly Serial Number 0x301A5C4A Part Number 8JTF12864AZ-1G4F1 Revision Code 0x4631
メモリー2枚刺しと、4枚刺しの消費電力比較
本来なら、4GBytes×2枚の合計8GBytes運用で消費電力を抑えようと思っていたのだが、仕方がないので、2GBytes×2枚＋1GBytes×2枚の4枚刺し合計6Gbytesでの運用となる。
2枚の時、4枚の時の消費電力は
| grub画面 | memtest86+ | Ubuntuアイドル状態 | |
|---|---|---|---|
| 2GBytes×2枚 | 61W | 69W | 47W |
| 2GBytes×2枚＋1GBytes×2枚 | 62W | 75W | 48W |
4枚刺し時のmemtest86+測定中画面
