大阪日本橋の中古PCショップPCコンフル ヲタロード先っちょ店で、HP製ミニPCのEliteDesk 800 G1 DMが安価（税込 12,800円）に売りに出されていたので購入。
PCコンフル店頭で売られている中古ミニPC
普段自宅で使っているIBM ThinkCentre M721q（Core i5 7400T, 16GB）が34,800円で売られている。今回購入したのは左端のHP EliteDesk 800 G1 DM（Core i3 4100T 4GB）で12,800円。
同店のTwitterでは、6月10日に入荷したものらしい。
HP EliteDesk 800 G1 DMの仕様は、HPのWebページやPC本体から読み取ったものをまとめると...
| CPU | Intel Core i3-4160T 3.1GHz (第4世代, Haswell) |
| Chipset | Intel Q87 Express |
| GPU | Intel HD Graphics 4400 |
| Memory | PC3-12800(1600MHz) SO-DIMM × 2スロット, 1.35V or 1.5V, CL=11 |
| Drive | 2.5インチ SATA (6Gb/sec) × 1ポート M.2 2280 AHCI × 1スロット |
| Wifi/Bluetooth | M.2 2230 × 1ポート |
| LAN | 1 GBit Ethernetポート × 1 |
| USB | USB3.0 × 6ポート |
| Monitor | Display Port × 2 VGA × 1 |
| Audio | Headphone × 1 Mic × 1 |
取り付けられていたメモリーとディスクは次の通り
| Memory | Kingston製 SMD16D3LFS1KBG/2G 2014年28週 (PC3-12800 2GB) × 2 |
| Drive | SUNEAST SE800 SSD 128GB, SMART電源投入時間 2時間 |
分解調査
背面のネジ1本を外すと、天板がスライドして外れる。
天板を外し筐体内部の全景
上半分がCPU用のヒートシンクと送風ファンが納められた金属ケース。下半分に2.5inch SATA接続SSDが見えている。
SSDに接続されているSATAコネクタに「FOXCONN 1525」と書かれたシールが貼られている。天板表面には「MADE IN TOKYO」のシールが貼られているが、フォックスコンの工場は中国大陸では...？
SSDを取り外すと、その下にメモリーモジュールが見える。
2.5inchドライブマウンタ（リテンションフレーム）とメモリー
2.5inchドライブマウンタ（リテンションフレーム）を取り外すと、マザーボードの半分ほどが見える。残り半分はCPUのヒートシンクを取り外す必要があり、伝熱シリコーングリスの持ち合わせがないため分解はしないでおく。
マザーボード
メモリーモジュールの下側にM.2 2230 Wifiカードを差し込むソケットが、SATAコネクタの上側にM.2 2280 SSDを差し込むソケットが見える。
完全に分解した写真はImpress PC Watchの『Hothotレビュー 日本HP「HP EliteDesk 800 G1 DM」』を参照。
BIOS画面
ブート時にESCキーを押すことで、UEFI BIOSメニューに入ることができる。
システム概要（中古 購入時）
BIOSアップデート、メモリー換装後は次のような表示になった。
システム概要（BIOSアップデート、メモリー換装後）
起動順序設定（中古 購入時）
セキュアブートOFF・レガシーブートサポートONの設定なので、レガシーデバイスが起動順序に盛り込まれている。これを変更し、さらにUbuntu Linuxをデュアルブート設定でインストール後は次のような画面になる
起動順序設定（セキュアブートONに変更，Ubuntu Linuxインストール後）
M.2ソケット有効・無効設定
M.2ソケットに何も取り付けるつもりはないので、無効（disable）に設定したほうが良いだろう
セキュアブート設定（中古 購入時）
セキュアブート無効（disable）・レガシーサポート有効（enable）に設定されているが、セキュアブート有効（enable）に切り替えた。（自動的に、レガシーサポートは無効となった）
セキュアブート設定（セキュアブートONに変更後）
ハードウエア調査
HWiNFOをインストールしてハードウエア情報を収集する
HWiNFOで表示したシステム概要
マザーボードの情報
このマシンのTPMはVer 1.2。Windows 11にアップグレードするにはTPMがVer 2である必要がある。
マザーボード --------------------------------------------------------------
[コンピューター]
コンピューターのブランド名： Hewlett-Packard HP EliteDesk 800 G1 DM
[Motherboard]
マザーボードモデル: Hewlett-Packard 1825
マザーボードチップセット: Intel Q87 (Lynx Point)
サポートされているUSBバージョン： v3.0
PCH PEG/DMI Ratio: 5/5
[BIOS]
BIOSメーカー： Hewlett-Packard
BIOS日付: 12/11/2014
BIOSバージョン： L04 v02.13
UEFI BIOS: 有能
スーパーIO / LPCチップ： Nuvoton NPCD379HAKFX
トラステッドプラットフォームモジュール（TPM）チップ： Present, version v1.2
BIOS設定
購入時のBIOSバージョンは 2.13 。HPのWebページでは、BIOSの新バージョン 2.33 が公開されている。
BIOS ----------------------------------------------------------------------
BIOSメーカー： Hewlett-Packard
BIOSバージョン： L04 v02.13
BIOSリリースデート： 12/11/2014
BIOS開始セグメント： F000
BIOSサイズ： F000
システムBIOSバージョン: 2.13
ISA Support: 現在ではない
MCA Support: 現在ではない
EISA Support: 現在ではない
PCI Support: 存在する
PC Card (PCMCIA) Support: 現在ではない
Plug-and-Play Support: 存在する
APM Support: 現在ではない
Flash BIOS: 存在する
BIOS Shadow: 存在する
VL-VESA Support: 現在ではない
ESCD Support: 現在ではない
Boot from CD: 存在する
Selectable Boot: 存在する
BIOS ROM Socketed: 現在ではない
Boot from PC Card: 現在ではない
EDD Support: 存在する
NEC PC-98 Support: 現在ではない
ACPI Support: 存在する
USB Legacy Support: 存在する
AGP Support: 現在ではない
I2O Boot Support: 現在ではない
LS-120 Boot Support: 現在ではない
ATAPI ZIP Drive Boot Support: 現在ではない
IEE1394 Boot Support: 現在ではない
Smart Battery Support: 現在ではない
BIOS Boot Specification Support: 存在する
Function key-initiated Network Service Boot Support: 存在する
Targeted Content Distribution Support: 存在する
UEFI Specification Support: 存在する
Virtual Machine: 現在ではない
SSDのSMART情報
電源投入時間 2時間なので、中古として販売するために新品のSSDに換装しているようだ。価格COMによれば、このSSDの販売価格はおよそ2,500円。
SUNEAST SE800 SSD 128GB --------------------------------------------------- [常規情報] ドライブコントローラー： Serial ATA 6Gb/s @ 6Gb/s ホストコントローラー： Intel Lynx Point PCH - SATA AHCI Controller (Ports 0-5) [C1] ドライブモデル： SUNEAST SE800 SSD 128GB ドライブファームウェアリビジョン： SN10200 ドライブのシリアル番号： 30063719988 ワールドワイドネーム： 50000027B6 ドライブ容量： 122,104 メガバイト (128 GB) Drive Capacity [MB]: 122104 メディアローテーションレート： SSD（非回転） 名目形係数： 2.5" サポートされているATAメジャーバージョン： ATA/ATAPI-5, ATA/ATAPI-6, ATA/ATAPI-7, ATA8-ACS, ACS-2, ACS-4 サポートされているATAトランスポートバージョン： SATA 3.2 [ドライブの幾何学的パラメータ] シリンダー数： 16383 ヘッドの数： 16 トラックあたりのセクター数： 63 セクター数： 16514064 合計32ビットLBAセクター： 250069680 合計48ビットLBAセクター： 250069680 論理セクターサイズ： 512 Bytes キャッシュまたはバッファサイズ： N/A [転送モード] 割り込みあたりのセクター： Total: 1, Active: 1 最大PIO転送モード： 4 Multiword DMA Mode: Total: 2, Active: - Singleword DMA Mode: Total: -, Active: - Ultra-DMA Mode: Total: 6 (ATA-133), Active: 6 (ATA-133) Max. Multiword DMA Transfer Rate: 16.7 MBytes/s Max. PIO with IORDY Transfer Rate: 16.7 MBytes/s Max. PIO w/o IORDY Transfer Rate: 16.7 MBytes/s Native Command Queuing: サポートされています, 最大深さ: 32 TRIMコマンド： サポートされています（TRIM後の確定的読み取り、Words = 0） [デバイスフラグ] 固定ドライブ： 存在する リムーバブルドライブ： 現在ではない 磁気ストレージ： 存在する LBAモード： サポートされています DMAモード： サポートされています IORDY: サポートされています IORDY無効： サポートされています [機能] 書き込みキャッシュ： 存在する, アクティブ S.M.A.R.T.機能： 存在する, アクティブ セキュリティ機能： 存在する, インアクティブ リムーバブルメディア機能： 現在ではない, 無効 パワー管理： 存在する, アクティブ 高度な電力管理： 現在ではない, インアクティブ パケットインターフェイス： 現在ではない, 無効 先読みバッファ： 存在する, アクティブ ホスト保護エリア： 現在ではない, 無効 スタンバイ時の電源投入： サポートされていません, インアクティブ 自動音響管理： サポートされていません, インアクティブ 48-bit LBA: サポートされています, アクティブ ホスト主導のリンク電力管理（HIPM）： サポートされていません デバイス主導のリンク電力管理（DIPM）： サポートされていません In-Order Data Delivery: サポートされていません ハードウェア機能制御： サポートされていません ソフトウェア設定の保存： サポートされています, 有効 NCQ Autosense: サポートされていません Link Power State Device Sleep: サポートされていません ハイブリッド情報機能： サポートされていません 再構築アシスト： サポートされていません 電源無効： サポートされていません All Write Cache Non-Volatile: サポートされていません ユーザーアドレス指定可能なセクターの拡張数： サポートされていません CFast Specification: サポートされていません NCQ優先度情報： サポートされていません Host Automatic Partial to Slumber Transitions: サポートされていません Device Automatic Partial to Slumber Transitions: サポートされていません NCQ Streaming: サポートされていません NCQキュー管理コマンド： サポートされていません DevSleep to Reduced Power State: サポートされていません Out Of Band Management Interface: サポートされていません 拡張電力条件機能： サポートされていません センスデータレポート機能： サポートされていません 自由落下制御機能： サポートされていません 書き込み-読み取り-検証機能： サポートされていません [セキュリティ] セキュリティ機能： サポートされています セキュリティステータス： 無効 セキュリティがロックされています： 無効 凍結されたセキュリティ： 有効 強化されたセキュリティ消去： サポートされています Sanitize Feature: サポートされていません Sanitize Device - Crypto Scramble: サポートされていません Sanitize Device - Overwrite: サポートされていません Sanitize Device - Block Erase: サポートされていません Sanitize Device - Antifreeze Lock: サポートされていません Device Encrypts All User Data: サポートされていません Trusted Computing: サポートされていません [Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology (S.M.A.R.T.)] [05] 再割り当てされたセクター数： 100/50, 最悪: 100 [09] 電源投入時間/サイクルカウント： 100/常にOK, 最悪: 100 (2 時間) [0C] パワーサイクルカウント： 100/常にOK, 最悪: 100 (Data = 11,0) [A7] SSD保護モード： 100/常にOK, 最悪: 100 [A8] SATA PHYエラーカウント： 100/常にOK, 最悪: 100 [A9] 不良ブロックの総数： 100/10, 最悪: 100 [AB] プログラムの失敗数（合計）： 100/常にOK, 最悪: 100 [AC] 消去失敗数（合計）： 100/常にOK, 最悪: 100 [AD] ウェアレベリングカウント/消去カウント： 200/常にOK, 最悪: 200 (Data = 262147,1) [AE] 予期しない電力損失カウント： 100/常にOK, 最悪: 100 [AF] プログラム/ECC失敗カウント： 100/10, 最悪: 100 [B4] 未使用の予約済みブロック数（合計）： 100/常にOK, 最悪: 100 (Data = 62,0) [BB] 修正不可能なエラー数： 100/常にOK, 最悪: 0 [C0] 安全でないシャットダウンカウント： 100/常にOK, 最悪: 100 (Data = 7,0) [C2] 温度： 33/常にOK, 最悪: 33 (33.0 °C) [CE] フライングハイト： 200/常にOK, 最悪: 200 (Data = 1,0) [CF] 大電流を回転させる： 200/常にOK, 最悪: 200 (Data = 4,0) [D0] スピンバズ： 200/常にOK, 最悪: 200 (Data = 3,0) [D1] オフラインシークのパフォーマンス： 200/常にOK, 最悪: 200 (Data = 1,0) [D2] SATA CRCエラーカウント： 200/常にOK, 最悪: 200 (Data = 11,0) [D3] 書き込み中の振動： 200/常にOK, 最悪: 200 (Data = 3,0) [E7] SSDの残りの寿命： 100/5, 最悪: 100 [F1] ホスト書き込みの量の合計： 100/常にOK, 最悪: 100 (Data = 96,0) [F2] ホスト読み取りの量の合計： 100/常にOK, 最悪: 100 (Data = 86,0) [F3] 修正されたECCビット： 50/常にOK, 最悪: 50 [F5] 累積プログラムNANDページ： 100/常にOK, 最悪: 100 (Data = 293,0) ドライブの残りの寿命 100% [デバイス統計] 生涯電源投入リセット： 11 電源投入時間： 2 書かれた論理セクターの数: 201369002 読み取られた論理セクターの数： 181095289 書き込みコマンドの数： 2708896 読み取りコマンドの数： 2524547 使用済み-耐久性インジケーター： 0%
メモリー情報
モジュール製造年が2014年なので、このマシンが新品でメーカー出荷された時点のものと思われる。
メモリー ------------------------------------------------------------------ [常規情報] 合計メモリサイズ： 4 GBytes Total Memory Size [MB]: 4096 [現在のパフォーマンス設定] サポートされる最大メモリクロック： 800.0 MHz 現在のメモリクロック： 799.1 MHz (8 : 1 乗数) 現在のタイミング (tCAS-tRCD-tRP-tRAS): 11-11-11-28 サポートされているメモリチャネル： 2 アクティブなメモリチャネル： 2 コマンドレート（CR）： 1T Read to Read Delay (tRDRD_SG/TrdrdScL) Same Bank Group: 4T Read to Read Delay (tRDRD_DG/TrdrdScDlr) Different Bank Group: 6T Read to Read Delay (tRDRD_DD) Different DIMM: 6T Write to Write Delay (tWRWR_SG/TwrwrScL) Same Bank Group: 4T Write to Write Delay (tWRWR_DG/TwrwrScDlr) Different Bank Group: 7T Write to Write Delay (tWRWR_DD) Different DIMM: 7T Read to Write Delay (tRDWR_SG/TrdwrScL) Same Bank Group: 11T Read to Write Delay (tRDWR_DG/TrdwrScDlr) Different Bank Group: 11T Read to Write Delay (tRDWR_DD) Different DIMM: 11T Write to Read Delay (tWRRD_SG/TwrrdScL) Same Bank Group: 20T Write to Read Delay (tWRRD_DG/TwrrdScDlr) Different Bank Group: 4T Write to Read Delay (tWRRD_DD) Different DIMM: 4T Read to Precharge Delay (tRTP): 6T Write to Precharge Delay (tWTP): 24T Write Recovery Time (tWR): 23T RAS# to RAS# Delay (tRRD): 6T Refresh Cycle Time (tRFC): 208T Four Activate Window (tFAW): 32T Row: 0 [BANK 0/DIMM1] - 2 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM Kingston SMD16D3LFS1KBG/2G [常規的なモジュール情報] モジュール番号： 0 モジュールサイズ： 2 GBytes メモリタイプ： DDR3 SDRAM モジュールタイプ： SO-DIMM メモリ速度： 800.0 MHz (DDR3-1600 / PC3-12800) モジュールメーカー： Kingston モジュール部品番号： SMD16D3LFS1KBG/2G モジュールリビジョン： 0 モジュールのシリアル番号： 2991001800 (C81047B2) モジュール製造日： 年: 2014, 週: 28 モジュールの製造場所： 4 SDRAMメーカー： Unknown エラーチェック/修正： None [Module characteristics] 行アドレスビット： 15 列アドレスビット： 10 Number Of Banks: 8 モジュール密度： 4096 Mb ランク数： 1 デバイス幅： 16 bits Bus Width: 64 bits モジュールの公称電圧（VDD）： 1.5 V, 1.35 V [Module timing] Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns サポートされるCAS＃レイテンシー： 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 最小CAS＃遅延時間（tAAmin）： 13.125 ns 最小RAS＃からCAS＃への遅延（tRCDmin）： 13.125 ns Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns サポートされているモジュールのタイミング 800.0 MHz: 11-11-11-28 サポートされているモジュールのタイミング 666.7 MHz: 9-9-9-24 サポートされているモジュールのタイミング 533.3 MHz: 7-7-7-19 サポートされているモジュールのタイミング 400.0 MHz: 6-6-6-14 サポートされているモジュールのタイミング 333.3 MHz: 5-5-5-12 Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 7.500 ns Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 260.000 ns Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 40.000 ns [機能] Partial Array Self Refresh (PASR): サポートされています On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: サポートされていません Auto Self Refresh (ASR): サポートされていません Extended Temperature 1X Refresh Rate: サポートされていません Extended Temperature Range: サポートされています Module Temperature Sensor: サポートされていません Pseudo Target Row Refresh (pTRR): サポートされていません モジュールの公称高さ： 29 - 30 mm モジュールの最大厚さ（前面）： 1 - 2 mm モジュールの最大厚さ（背面）： <= 1 mm Row: 2 [BANK 2/DIMM3] - 2 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM Kingston SMD16D3LFS1KBG/2G ～ 以下省略（BANK 1のモジュールとほぼ同じ内容のため）
BIOSアップデート
インストールされていたBIOSファームウエアは Ver2.13 (2014/12/11)。現行の最新版は Ver2.33 (2019/4/17)で、その間に幾回ものアップデートが行われているのが、HPのWebページからわかる。
BIOS修正履歴
バージョン： 00.02.33最新の Intel マイクロコード 0x27 にアップデートします。
セキュリティの変更により、この BIOS の読込み後、旧バージョンを再インストールすることはできません。バージョン： 00.02.31 Rev.A
このリリースでの修正点: 注記: セキュリティの変更により、この BIOS の読込み後、旧バージョンを再インストールすることはできません。- 最新の Intel マイクロコード 0x25 にアップデートします。
注記：セキュリティの変更により、この BIOS の読込み後、旧バージョンを再インストールすることはできません。バージョン： 00.02.30 Rev.A
このリリースでの修正点: - Wake On LAN 時に電源オンパスワードが表示できる、新しい BIOS セットアップポリシーを追加します。
注記：デフォルトでは、この新しい設定が有効になっているため、Wake On LAN での電源オンパスワードのときに表示されます。
最新の Intel マイクロコード 0x24 にアップデートします。
最新の UEFI PXE バージョン0018にアップデートします。注記：セキュリティの変更により、この BIOS の読込み後、旧バージョンを再インストールすることはできません。
バージョン： 00.02.29 Rev.A
このリリースでの修正点: - 02.25 に追加した変更をロールバック
- Intel マイクロコード 0x1A にロールバックバージョン： 00.02.27 Rev.A
このリリースでの修正点: - BIOS 管理者パスワードが存在する場合に予約ネットワーク BIOS アップデートが自動的に実行されない問題を修正します。
- BiosConfigUtilityツールを使用するよう「使用可能」に設定した後に、TPMが使用準備にならない問題を修正します。バージョン： 02.26 Rev.A
このリリースでの修正点: - セキュリティアップデートを追加しました。
バージョン： 02.25 Rev.A
このリリースでの修正点: - F10メニューにてカーソル（フォーカス）が時間の設定に残らない場合、時間が保存されないF10「BIOS電源オン」の問題を修正しました。
バージョン： 02.24 Rev.A
このリリースでの修正点: - ディスクリートデバイスが、BiosConfigUtility 経由で無効になっていても、次回再希望を再有効にする問題を修正します。
- Wake On LAN (通常はマジックパケットで復帰) で (BIOS) 高速ブートが無効になり、 Remote Wakeup Boot Source が実行される原因となる問題を修正します。 -ロールバック防止を実装。
- 改善された セキュリティアップデートを追加。*** アラート ***
このリリースはセキュリティ アップ デート実装を改善しました。HPでは、このBIOS バージョンへの速やかな移行を強く推奨します。セキュリティ上の変更のため、BIOSアップデートをインストールしていた後で、旧BIOSバージョンは再度インストールすることができません。
- スマートカードリーダーデバイスのサポートを追加します。
バージョン： v02.22 Rev.A
このリリースでの修正点: - Windows-to-Goの問題を修正。
- M.2 コードを M.2 デバイスの個別検出に戻し、プロセス時間のゴースティングを抑えます。 - Windows 10のサポートを追加
- 最新OSI
‐F11の回復
‐Win10用新規フィーチャーバイト
‐DBX初期化バージョン： v02.16 Rev.A
このリリースでの修正点: - AMTウォッチドッグタイマがF-10のメニューで無効になったとき、無効化されたことを修正しました。 -より良い音響レベルのアイドルモードにする為に、2000 RPMから1000 RPMにファンの最小速度を減少させた。
バージョン： v02.13 Rev.A
このリリースでの修正点: - プラットフォーム用のBluetoothサポートを修正しました。 - M.2の一般化サポート用にフラッシュバック制限が入っています。
警告： この BIOS には重要なアップデートが含まれています。システムがこのバージョンにアップデートされると、
以前のバージョンへのロールバックは制限されます。この制限は BIOS リカバリファイルへも
適用されます。存在している場合、お使いのハードドライブ上での
リカバリに使用されるバイナリもアップデートする必要があります。手順
は、BIOS Flash.htm内の「ブート ブロック緊急回復モード」に含まれています。- Win 7用のOA3/VOS.bダウングレードサポートを追加しました。
https://support.hp.com/jp-ja/drivers/selfservice/swdetails/hp-elitedesk-800-g1-desktop-mini-pc/6595205/model/6595211/swItemId/vc-229769-2
Windows上よりアップデートを行った。開始前の確認ダイアログは、次のようなものが表示された。
BIOSアップデート画面
メモリー増設
メモリー価格が高騰していたため、一旦 8 GBytesにして価格高騰が収まるのを待ち、最終的に 16 GBytes とした。
購入当初：4GBytes → 2022年7月：8GBytes → 2023年2月：16GBytes
メモリーを4GBytesから8GBytesに換装 （2022年7月28日）
Amazon.co.jpで「CFD販売 Panram ノートPC用 メモリ DDR3-1600 (PC3-12800) 4GB×2枚 1.35V対応 SO-DIMM」D3N1600PS-L4G ×2枚 を3,310円で購入して換装した。
メモリーを8GBytesから16GBytesに換装（2023年2月2日）
メモリー価格が下がったため、Amazon.co.jpで「CFD販売 Panram ノートPC用 メモリ DDR3-1600 (PC3-12800) 8GB×2枚 1.35V対応 SO-DIMM」W3N1600PS-L8G を購入した。価格は3,673円。 半年前の半額近くまで値下がりしている。
価格.comの価格推移グラフ
メモリーを16GBytesに換装
BIOSでメモリー16GBytes認識状況
BIOSでメモリーテスト結果
HWiNFO64 のメモリー情報
Memory -------------------------------------------------------------------- [General Information] Total Memory Size: 16 GBytes Total Memory Size [MB]: 16384 [Current Performance Settings] Maximum Supported Memory Clock: 800.0 MHz Current Memory Clock: 785.7 MHz (8 : 1 Ratio) Current Timing (tCAS-tRCD-tRP-tRAS): 11-11-11-28 Memory Channels Supported: 2 Memory Channels Active: 2 Command Rate (CR): 1T Read to Read Delay (tRDRD_SG/TrdrdScL) Same Bank Group: 4T Read to Read Delay (tRDRD_DG/TrdrdScDlr) Different Bank Group: 6T Read to Read Delay (tRDRD_DD) Different DIMM: 6T Write to Write Delay (tWRWR_SG/TwrwrScL) Same Bank Group: 4T Write to Write Delay (tWRWR_DG/TwrwrScDlr) Different Bank Group: 7T Write to Write Delay (tWRWR_DD) Different DIMM: 7T Read to Write Delay (tRDWR_SG/TrdwrScL) Same Bank Group: 11T Read to Write Delay (tRDWR_DG/TrdwrScDlr) Different Bank Group: 11T Read to Write Delay (tRDWR_DD) Different DIMM: 11T Write to Read Delay (tWRRD_SG/TwrrdScL) Same Bank Group: 20T Write to Read Delay (tWRRD_DG/TwrrdScDlr) Different Bank Group: 3T Write to Read Delay (tWRRD_DD) Different DIMM: 4T Read to Precharge Delay (tRTP): 6T Write to Precharge Delay (tWTP): 24T Write Recovery Time (tWR): 23T RAS# to RAS# Delay (tRRD): 5T Refresh Cycle Time (tRFC): 208T Four Activate Window (tFAW): 24T Row: 0 [BANK 2/DIMM3] - 8 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM Panram International PSD3L1600C118G2VS [General Module Information] Module Number: 0 Module Size: 8 GBytes Memory Type: DDR3 SDRAM Module Type: SO-DIMM Memory Speed: 800.0 MHz (DDR3-1600 / PC3-12800) Module Manufacturer: Panram International Module Part Number: PSD3L1600C118G2VS Module Revision: 0 Module Serial Number: N/A Module Manufacturing Date: Year: 2022, Week: 47 Module Manufacturing Location: 0 SDRAM Manufacturer: Unknown Error Check/Correction: None [Module characteristics] Row Address Bits: 16 Column Address Bits: 10 Number Of Banks: 8 Module Density: 4096 Mb Number Of Ranks: 2 Device Width: 8 bits Bus Width: 64 bits Module Nominal Voltage (VDD): 1.5 V, 1.35 V [Module timing] Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns CAS# Latencies Supported: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.125 ns Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.125 ns Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns Supported Module Timing at 800.0 MHz: 11-11-11-28 Supported Module Timing at 666.7 MHz: 9-9-9-24 Supported Module Timing at 533.3 MHz: 7-7-7-19 Supported Module Timing at 400.0 MHz: 6-6-6-14 Supported Module Timing at 333.3 MHz: 5-5-5-12 Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 260.000 ns Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns [Features] Partial Array Self Refresh (PASR): Supported On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Not Supported Auto Self Refresh (ASR): Not Supported Extended Temperature 1X Refresh Rate: Not Supported Extended Temperature Range: Supported Module Temperature Sensor: Not Supported Pseudo Target Row Refresh (pTRR): Not Supported Module Nominal Height: 29 - 30 mm Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm Module Maximum Thickness (Back): 1 - 2 mm Row: 2 [BANK 0/DIMM1] - 8 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM Panram International PSD3L1600C118G2VS [General Module Information] Module Number: 2 Module Size: 8 GBytes Memory Type: DDR3 SDRAM Module Type: SO-DIMM Memory Speed: 800.0 MHz (DDR3-1600 / PC3-12800) Module Manufacturer: Panram International Module Part Number: PSD3L1600C118G2VS Module Revision: 0 Module Serial Number: N/A Module Manufacturing Date: Year: 2022, Week: 47 Module Manufacturing Location: 0 SDRAM Manufacturer: Unknown Error Check/Correction: None [Module characteristics] Row Address Bits: 16 Column Address Bits: 10 Number Of Banks: 8 Module Density: 4096 Mb Number Of Ranks: 2 Device Width: 8 bits Bus Width: 64 bits Module Nominal Voltage (VDD): 1.5 V, 1.35 V [Module timing] Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns CAS# Latencies Supported: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.125 ns Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.125 ns Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns Supported Module Timing at 800.0 MHz: 11-11-11-28 Supported Module Timing at 666.7 MHz: 9-9-9-24 Supported Module Timing at 533.3 MHz: 7-7-7-19 Supported Module Timing at 400.0 MHz: 6-6-6-14 Supported Module Timing at 333.3 MHz: 5-5-5-12 Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 260.000 ns Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns [Features] Partial Array Self Refresh (PASR): Supported On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Not Supported Auto Self Refresh (ASR): Not Supported Extended Temperature 1X Refresh Rate: Not Supported Extended Temperature Range: Supported Module Temperature Sensor: Not Supported Pseudo Target Row Refresh (pTRR): Not Supported Module Nominal Height: 29 - 30 mm Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm Module Maximum Thickness (Back): 1 - 2 mm
